王迅(Wang Xun)，男，1934年4月生。1956年毕业于复旦大学物理系，1960年1月研究生毕业。1978年5月任复旦大学副教授，1980年3月-11月美国威斯康辛大学密澳基分校访问教授。1984年8月任复旦大学教授，1985年任博士生导师。1996年5月任复旦大学首席教授。1990-1997任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任。1993年起任国际纯粹与应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会委员，<Surface Science>顾问编委。曾十余次担任国际学术会议的程序委员或分组主席。国内学术兼职有：中国物理学会理事，上海市物理学会理事长，中国物理学会半导体专业委员会副主任，北京正负电子对撞机国家实验室等三个国家实验室和重点实验室学术委员，<半导体学报> <物理> <发光学报> 编委，上海应用物理中心和中国微结构高等科学与技术中心理事。指导博士生23名，其中18人已获博士学位。指导硕士生24人，其中21人已获学位。

　　表面物理、半导体物理学家。江苏 无锡。对半导体表面和界面的结构和电子态做了系统研究，其中对InP极性表面进行了开拓性研究。在多孔硅研究方面发现多孔硅的光学非线性现象，实现多孔硅的蓝光发射并被国际上引为1992年多孔硅研究的6项进展之一，发现多孔硅发光峰位钉扎现象，测量了多孔硅/硅界面的能带偏移。在高质量锗硅超晶格的研制、锗硅量子阱和量子点物理特性的研究、新型硅锗器件的合作研制等方面作出多项创新成果。领导建成应用表面物理国家重点实验室并领导研究取得多项重要成果。1999年当选为中国科学院院士。　　

　　在科研上获国家教委科技进步二等奖4项，三等奖3项，1996年度光华科技基金二等奖，中国物理学会第五届叶企孙物理奖，1998年度何梁何利基金科学技术进步奖。有2项国家发明专利。